홈 사업영역 첨단소재사업부 스피터링 타깃

첨단소재사업부

기존 사업의 쌓아온 노하우를 바탕으로 새로운 기업으로의 도약을
최우선으로 하고 있습니다.

홈 사업영역 첨단소재사업부 조립용 정밀소재

스피터링 타깃 (1)

반도체 디바이스의 고집적, 미세화에 동반하여 Sputtering Target에는 고순도, 低 particle 化 가 요구되고 있습니다.

당사는 독자적인 제조 기술에 의해 이러한 요구를 만족시킬 뿐만 아니라 고출력 Sputter에도 대응한 Target을 취급하고 있습니다.

  • alc 배향성을 제어함으로서
    Particle의 저감, Bottom
    Coverage의 향상 실현

  • 고순도 텅스텐의 정제 메이커
    고밀도, 低 Particle의
    Ti-W Sputteringtarget 제조

  • FeRAM과 PCRAM 등
    각종 신규 불휘발성 메모리와
    박막 코팅용으로 고도의 분말제조

  • 고순도 미세균일조직,
    NiCo Target을 제조

스피터링 타깃 (2)

박막 필름은 현대 사회의 다양한 분야에서 활용되고 있습니다. 박막 필름의 형성에 필수적인 것이 스퍼터링 타깃입니다.
미쯔비시 머티리얼사는 종합적인 타깃 제조업체로서 온갖 다양한 스퍼터링 타깃을 공급하고 있으며 이것들은 반도체, LCD,
광학 메모리용 디스크 및 자기광학 메모리 및 센서, 디스크, 특수기능의 유리, 초전도체 등의 각 분야에서 다양하게 활용되고 있습니다.

특히, 반도체 장치 및 녹음 매체는 정보사회를 지원하는 것으로써 대단한 진보를 이룩하였습니다. 당사의 스퍼터링 타깃은 이러한
테크닉을 지속적으로 개선하고 발전시켜 필요한 품질과 속도를 갖춘 미래 세계의 발전에 공헌할 것입니다.

당사는 스퍼터링 타깃 사업을 소재와, 필름 형성 및 진화를 아울러 통합시키는 종합적인 사업이라고 간주합니다. 우리는 더욱더
복잡해지고 세련되어가는 소비자의 필요를 충족 시키고자 각각의 기본적인 기술을 강화하며 이를 통합시켜 나아갈 것입니다.

적용 분야

  • 새로운 TiW 타깃
  • 광학 및 자기광학 메모리 분야
  • 반도체
  • 디스플레이
  • 기능적인 필름
  • 원료Materials
  • 스퍼터링 기술Sputtering Technique
  • 필름 성능Film Evaluation

반도체

더욱 통합되어가고 더욱더 정밀해져만 가는 반도체 장치의 각 필름 형성을 위하여 고순도, 저 미립자 및 높은 스퍼터링 파워에 부응하는 타깃을 공급하고 있습니다. 또한 당사에서는 직경이 큰 물(300mm)에도 상응하여 큰 사이즈의 타깃 역시 공급이 가능합니다.

특히, 전극 물질을 포함하는 유전체(높은 유전체 및 강유전체)는 MOCVD 소재 및 졸-겔 액체를 함께 집어넣는 각각의 박막 필름 형성 방법에 알맞은 최고의 소재를 공급합니다. 그뿐만 아니라 차세대를 위해 비휘발성 상 변화 기록에 알맞은 소재 개발에 우리 에너지와 더불어, 당사에서 디스크의 재기록으로 개선한 상 변화 소재 기술을 쏟아붓고 있습니다.

반도체 제품목록

제품 조성 순도 특징
알루미늄 타깃 Al, Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, Al-Cu-Ti, etc. 5N 고순도 & 정제 · 그레인 크기
낮은 (U, Th 1ppb)
규소화물 타깃 WSi, MoSi, TiSi, etc. 5N 정제 · 그레인 크기 대비 낮은 입자 고퓨의 축소 양식으로 인한 고순도
티타늄 타깃 Ti
(Solder bonding, Diffusion bonding, one-body)		 4N5
6N		 정제 · 그레인 크기 대비 낮은 입자
고용점 금속성 타깃 TiW, W, Mo, Ta, Ru, Pt, Ni, Co, etc. 4N
5N		 고순도 & 고밀도
실리콘 타깃 Si, B-doped Si, P-doped Si 5N 넓은 직경
하나의 크리스탈
구리 타깃 Cu 6N 독창적인 정제 기술로 인한 고순도
강유전 타깃 BaSrTiOx, PbZrTiOx, BaTiOx, etc. 5N 고속 스퍼터링 & 낮은 누진 전류 대비
균일한접태학

티타늄 타깃의
전형적인 불순물 데이터

순도 Fe Ni Cr Al Cu Sn Nav K U Th C O
Ti (4N5) 4 2 0.2 0.6 0.7 0.3 <0.01 <0.01 <0.05 <0.05 20 250

(Unit : mm)

  • Grain structure (FGR : Fine Grain Recrystalized)

Ru 타깃의
전형적인 불순물 데이터

순도 Fe K Ca Mg Fe Ni Cr Al U Th 밀도
Ru (4N) 2 9 8 2 8 0.2 0.4 3 <1 <1 <=95%

(Unit:ppm, U, Th:ppb)

Ru 타입 필름의 형태

  • Ru metal fillm

  • Ru02 film

Ru 전극 BST film의 횡단면 SEM

산소 압력 및 분포 비율 차트

Cu 타깃의
전형적인 불순물 데이터

순도 Fe Ni Si Al S Ag Na K U Th C O
Ti (4N5) 0.04 <0.01 0.1 <0.05 0.1 0.3 <0.05 <0.05 <0.01 <0.01 <0.2 <1

(Unit:ppm)

강유연체 타깃

당사에는 강유연체 필름 형성을 위한 소재로서의 스퍼터링 타깃, 개발지원 및 대량생산 외에도 졸-겔 액체 및 MOCVD용 소재 등을공급하기 위한 시스템이 갖춰져 있습니다.

BaSrTiO 타깃의 전형적인 불순물 데이터

Na K Mg Al Cr Mn Fe Co Ni Cu U Th
4N 8 3 3 9 1 <1 3 1 1 2 - -
5N 1 <1 <1 <2 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1 <1

(Unit:ppm, U, Th:ppb)

BaSrTiO 필름의 전기적 데이터

Target purity Specific dielectric constants tan Leak electric current for 1V
4N 216 0.0164 9.90E-09
5N 205 0.0151 6.94E-09

By (Ba0.5Sr0.5) TiO3- target

BaSrTiO 필름의 SEM 사진

차트

  • 스퍼터링 파워 및 분포 비율 (BST 타깃)

  • 스퍼터링 시간의 구성 (BST 타깃)

반도체 제품목록

제품 조성 순도 특징
알루미늄 타깃 Al, Al-Si, Al-Cu, Al-Si-Cu, Al-Cu-Ti, etc. 5N 고순도 & 정제 · 그레인 크기
낮은 (U, Th 1ppb)
규소화물 타깃 WSi, MoSi, TiSi, etc. 5N 정제 · 그레인 크기 대비 낮은 입자 고퓨의 축소 양식으로 인한 고순도
티타늄 타깃 Ti
(Solder bonding, Diffusion bonding, one-body)		 4N5
6N		 정제 · 그레인 크기 대비 낮은 입자
고용점 금속성 타깃 TiW, W, Mo, Ta, Ru, Pt, Ni, Co, etc. 4N
5N		 고순도 & 고밀도
실리콘 타깃 Si, B-doped Si, P-doped Si 5N 넓은 직경
하나의 크리스탈
구리 타깃 Cu 6N 독창적인 정제 기술로 인한 고순도
강유전 타깃 BaSrTiOx, PbZrTiOx, BaTiOx, etc. 5N 고속 스퍼터링 & 낮은 누진 전류 대비
균일한접태학

티타늄 타깃의
전형적인 불순물 데이터

순도 Fe Ni Cr Al Cu Sn Na K U Th C O
Ti (4N5) 4 2 0.2 0.6 0.7 0.3 <0.01 <0.01 <0.05 <0.05 20 250
Ti (6N) 0.2 0.03 0.1 0.2 0.2 <0.1 <0.05 <0.01 <0.05 <0.05 <10 40

(Unit:ppm, U, Th:ppb)