Wafer Coating and MOD Liquids
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Spin-coat 법으로 PZT, SBT, BLT등의 강유전체와 BST등의 고유전체 박막이 성막가능한 solgel액, MOD액을 제조
졸-겔 용액
•유전체 박막 필름을 쉽게 형성토록 해주는 졸-겔 용액
•FeRAM에 알맞은 졸-겔 용액
•훨씬 더 낮은 어닐링(Annealing, 가열 냉각) 온도에서 보다 균일하고 더욱 얇은 필름을 얻을 수 있다.
•PZT 필름의 표면 형태
•PZT 박막 필름의 성질
- 양호한 포화도 특성을 갖춘 필름
- 성질의 둔화 없이도 필름의 두께를 90nm까지 낮추다
- 낮은 운전 전압
•낮은 온도에서의 PZT 필름 제조 (450℃)
2Pr > 20 으로 필름을 얻을 수 있다.
•낮은 온도에서의 SBT 필름 제조 (650℃)
- * 최적화된 650 은 Symetrix 사의 등록상표가 붙은 공정이다. 여러분은 낮은 온도의 어닐링을 활용해 수정된 졸-겔 용액으로 쉽게 SBT 필름을 마련할 수 있다.
- 1 ㎛ 두께가 넙는 필름 대상의 PZT 졸겔 용액
- 1회 코팅으로 최고 1 ㎛ 두께의 PZT 필름을 얻을 수 있다!!
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•필름의 제조
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•필름 두께의 균일성
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여러분의 용도에 알맞은 두께를 선택하세요.
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•단일코팅 필름의 미세조직
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•다중코팅 필름의 분극화 및 세로변형 자기이력 곡선
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•PZT 두께 필름의 고밀화
고밀화를 통해 조밀한 필름을 쉽게 얻을 수 있다.
이 필름은 낮은 누설전류 밀도를 가질 것으로 기대된다.
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•기타
PZT, PLZT – (Pb, La)(Zr,Ti)O3
SBT, SBTN – SrBi2(Ta, Nb)2O9
BST – (Ba,Sr)TiO3
LSCO – (La,Sr)CoO3
BLT, BIT – (Bi,La) 4Ti3O12
BSO – Bi2SiO5
* 또한 당사에서는 기타 용액 및 도펀트(dopants,
미세불순물)이 함유된 용액도 생산할 수 있습니다.
주저 없이 문의하여 주십시오.
MOCVD 소스
•고 step coverage 필름을 가능하게 하는 MOCVD 소스
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스퍼터링 및 CSD와 같은 전통적인 증착법은 정밀하면서도 다층구조인 장치를 고 통합 및 고속의 운영상태에 준용하고자 할 때는 제한적이다. operation. 그에 비해, 이 MOCVD 방법은 정밀하고 복잡한 기질에 있어 양호한 커버리지를 보여준다. 미쯔비시 머티리얼 사에서는 MOCVD용 금속 유기 화합물 및 액체 전달 시스템에 알맞은 MOCVD 소스를 개발해오고 있다. |
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MOCVD는 궁극의 필름 증착 기술입니다.
당사는 사용자의 관점에서 반도체 장치를 지속적으로 지원할 것입니다.
목표 |
당사는 차세대 반도체를 위하여 MOCVD 소재의 개발을 진행해 나아간다. |
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이점 |
소재간의 구별, 장치/공정 기계제작 및 믿을만한 공급 시스템과의 긍정적인 연결 |
•메모리 장치에 알맞은 축전기 및 전극
통합 밀도와 증착법 사이의 관계
•게이트 산화물용 소재
게이트 산화물 및 전구체 후보물질
